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MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
100
80
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
8V
6V
5V
100
80
V DS ≥ 5 V
T J = - 55 ° C
25 ° C
100 ° C
60
4.5 V
4V
60
3.5 V
40
20
3V
2.5 V
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
1.5
1.9
2.3
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
0.029
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.022
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.027
V GS = 5 V
0.021
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.025
0.023
0.021
0.019
T J = 100 ° C
25 ° C
0.020
0.019
0.018
0.017
0.017
- 55 ° C
0.016
10 V
0.015
0
20
40
60
80
100
0.015
0
20
40
60
80
100
1.35
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
V GS = 5 V
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.25
I D = 25 A
T J = 125 ° C
1.15
100
1.05
0.95
0.85
10
100 ° C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage
Current versus Voltage
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